国产存储芯片开始提速_两大喜讯接连传来_实现从0到1突破

国产存储芯片开始提速_两大喜讯接连传来_实现从0到1突破

全球存储芯片的格局非常明确，以韩国三星，SK海力士和美国美光这三大巨头为主，在各大存储芯片领域中占据核心技术和市场份额的主要优势。常见的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨头手中。

但其实国产存储芯片已经开始提速了，两大喜讯接连传来，完成了从0到1的关键突破。具体是怎样的喜讯呢？国产存储芯片产业格局如何？

存储芯片的重要性是显而易见的，手机，电脑设备想要运行文件，存储数据，那么存储芯片将会是不可或缺的存在。

根据存储芯片种类的不同，赛道竞争程度也不一样。有些存储芯片巨头已经将工艺做到了使用EUV光刻机的程度，而有些企业能在某个细分存储芯片领域取得一席之地，就已经是很大的突破了。

国外巨头因为起步时间早，有庞大的资本开支优势，再加上产业链发展完善，取得领先也是能理解的。但后来居上，实现反超的例子也不是没有，国产存储芯片传来两大喜讯，已经在弯道超车了。具体有怎样的喜讯呢？

第一大喜讯：昕原半导体建成28/22nm ReRAM生产线

对存储芯片有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是发展了几十年的存储芯片，已经发展出完整的全球化产业链，相关的技术，配套设施和人才储备也十分完善。

可是在人工智能，云计算等日益发展迅速的新基建领域， 探索 新型存储芯片也成为了一种趋势。而ReRAM这种阻变存储器就是新型存储芯片，它的优势体现在读取速度快，功耗低，应用范围广阔。

昕原半导体就是发展ReRAM存储芯片的国产公司，其成立于2019年，在今年2月中旬正式传来消息，建成了中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线。

基于这座生产线，昕原半导体可以更快将研究成果落地，补充完善国产存储芯片产业的生产供应链。

值得一提的是，在新型的ReRAM阻变存储器产业中，入局的玩家还不是很多，而建成相关生产线的企业更是少之又少。放眼国外，昕原半导体的这一生产线建设成果都是领先的。这也意味着，中国已经在ReRAM新型阻变存储器中把握住了先手机会，未来可期。

第二大喜讯：曝合肥长鑫今年投产17nm制程的DDR5 内存芯片

相较于昕原半导体大力发展新型阻变存储器，合肥长鑫这家存储巨头则在传统赛道上持续攻克难关。有消息爆料称，合肥长鑫会在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片，成为国内首个参与DDR5内存芯片市场的中国企业。

DDR5是计算机内存规格的芯片，相比于DDR4等前几代内存条，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是当下主流的高性能，高品质内存芯片。

DDR5的市场份额一直把控在三星、SK海力士、美光这三大巨头手中，制造出的DDR5被各国客户争相下单采购，国内也一直存在DDR5内存芯片的空白。

然而喜讯传来，消息爆料合肥长鑫会在今年进行DDR5内存芯片的投产，且还是17nm的工艺制程。在这一领域内，17nm已经是非常先进高端的水准了。

若爆料消息无误，则说明国产DDR5芯片已经迎来有望参与全球市场的发展能力。除了投产DDR5芯片之外，合肥长鑫也一直在努力提升产能，得益于背后资本的支持，合肥长鑫计划在今年实现每月12万片晶圆的目标，而2年前合肥长鑫的产能水准还停留在每月45万片。

以上两个关于国产存储芯片的喜讯接踵而至，一个是昕原半导体在新型ReRAM阻变存储器建成生产线，为国产新型存储芯片产业发展提供更多的可能性。

另一个是合肥长鑫计划今年投产DDR5内存芯片，在17nm工艺的支持下，将有望拿下DDR5市场的一席之地，打破海外巨头单一市场垄断的局面。

不难发现，这两个喜讯都是实现了从0到1的突破，昕原半导体的ReRAM生产线是国内首条，合肥长鑫投产DDR5也是国内首个参与者，可见国产存储芯片已经开始提速。

其实不只是这两大国产存储芯片巨头，在其余的长江存储，福建晋华等等存储公司的参与下，构建了如今存储芯片产业快速破局的格局。他们要么是兴建生产线，要么加快技术研发突破，齐聚力量之下，相信定能为国产存储芯片创造全新的未来。

海外巨头长期耕耘技术研发和产业发展，国产企业要想加速进步，还得一步一个脚印。首先要树立发展目标，其次包括人才资源，紧接着努力将研究成果落地产业。正所谓一分耕耘一分收获，希望国产企业的耕耘都能得到应有的收获。

对国产存储芯片的两个喜讯你有什么看法呢？

了不起！中国成功突破芯片领域，这有什么意义？

据数据显示，2020年我国进口芯片全球占比80%，国内依旧是芯片的最大市场，中国的制造业想要解决这个难题势在必得，特别是华为在芯片上收到美国重阻碍后，中国芯片发展也面临着并不轻松的困境。

为了摆脱美国在 科技 领域的垄断，欧盟准备斥巨资将芯片行业做强，中国也意识到了推动芯片进程有着很重要的作用，并且将第三代半导体产业写入“十四五”规划中，最新消息显示，中国电科旗下装备子集团已成功实现离子注入机全谱系产品国产化，包括中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等离子注入机，工艺段覆盖至28nm，累计形成了413项核心发明专利。

国产芯片的突围并购也是最重要的一点，最近美国芯片巨头英特尔公司宣布，以总价167亿美金收购编程逻辑芯片的厂商阿尔特拉，此次也创造了英特尔最大的金额记录，此轮芯片产业并购潮的产生，主要推力是芯片产业正从传统PC端向移动、物联网端转移。另外，随着后摩尔定律时代的到来，芯片的研发成本正不断攀升。

中国财团也成为了海外芯片企业的买家，为改善我国芯片消费严重依赖海外进口、国产芯片厂商创新力不强的局面，在中国集成电路产业投资基金等新政策及融资平台创立的大背景下，近年来中国芯片企业一直在加快收购海外芯片企业的步伐。

除了并购狂潮，中国芯片的突破则是需要其他的链条配合，相比国外芯片产业，我国的芯片产业从上游装备制造到下游系统软件、电子产品都存在各种缺失，产业链条薄弱，在全球产业链竞争中一直处于劣势。中国芯片的突围，目前可以依靠的不是芯片产品本身，而是芯片配套产业需求的带动。

芯片突破的关键时刻，国产光刻胶成功破冰，粉碎日企垄断梦

“对于中国的科技和医疗事业的发展是有很大作用的,随着世界科技水平的发展,人们所要用到的科技技术越来越高,芯片研究获得重大突破,也就意味着芯片在全世界中的应用能够跨一个大度。”，也为我国需要到芯片的各行业带来了一定的便利

其中，作为芯片光刻过程的关键耗材，半导体光刻胶供不应求、完全靠抢的现状更是备受热议。

众所周知， 光刻胶的质量和性能对于芯片光刻工艺有着重要的影响。这意味着，光刻胶的供应受限，将直接阻碍芯片发展。

对于我国而言， 光刻胶领域长期以来国外先进企业的工艺及参与，对外依存度高达90%。 在当下中国国产芯片突破的关键时刻，倘若因为光刻胶被卡脖子影响了整体芯片行业的进步，将对芯片国产化造成致命的打击。

好在，从目前中国光刻胶领域传来的种种好消息来看，国产光刻胶已经成功破冰。

据7月2日IT之家给出的消息： 南大光电的ArF 光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。

早在5月底，南大光电就已经发布公告表示：公司自主研发的ArF 光刻胶产品通过客户认证，具备55nm工艺要求。

此次南大光电ArF 光刻胶产品成功拿到订单， 意味着我国将打破用于精密工艺的ArF 光刻胶产品一直以来被外企垄断的局面。

今年2月中旬，由于地震等相关因素的影响，日本光刻胶企业信越化学一度停止向中国大陆多家晶圆厂断供光刻胶。

当下全球半导体光刻胶市场主要被日本、美国等企业垄断，中国能够批量生产KrF、ArF光刻胶的厂商屈指可数 。以至于当国外光刻胶企业涨价或断供之后，国内晶圆厂势必要面对光刻胶缺货的窘境。

随着南大光电等国内光刻胶龙头不断进行光刻胶领域的投资研发成功，并取得突出进展，如今已经粉碎了日本企业的垄断梦。

不过，中国要想真正将光刻胶技术垄断在自己手里，还要突破技术与市场两大壁垒。

作为一个劳动与技术高度密集的产业，光刻胶领域存在极高的技术壁垒 。目前80%的光刻胶专利都垄断在日本手中，中国想要实现突破仍需继续努力。

同时，有日本掌握了先进技术以及配套产业链，其当下几乎垄断了整个光刻胶市场。 对于中国光刻胶企业来说，即便能够研发出新技术，能否得到广泛应用还未可知。

由此看来，国产光刻胶想要实现真正意义上的破冰，任重而道远。

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